實(shí)驗(yàn)報(bào)告芯片解剖實(shí)驗(yàn)報(bào)告

    時(shí)間:2020-10-09 17:43:33 報(bào)告 我要投稿

    實(shí)驗(yàn)報(bào)告芯片解剖實(shí)驗(yàn)報(bào)告

      課程名稱:芯片解剖實(shí)驗(yàn)

    實(shí)驗(yàn)報(bào)告芯片解剖實(shí)驗(yàn)報(bào)告

      學(xué) 號(hào):

      姓 名:

      教 師:

      年6月28日

      實(shí)驗(yàn)一 去塑膠芯片的封裝

      實(shí)驗(yàn)時(shí)間: 同組人員:

      一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

      1.了解集成電路封裝知識(shí),集成電路封裝類型。

      2.了解集成電路工藝流程。

      3.掌握化學(xué)去封裝的方法。

      二、實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備

      1:燒杯,鑷子,電爐。

      2:發(fā)煙硝酸,弄硫酸,芯片。

      3:超純水等其他設(shè)備。

      三、實(shí)驗(yàn)原理和內(nèi)容

      實(shí)驗(yàn)原理:

      1..傳統(tǒng)封裝:塑料封裝、陶瓷封裝

      (1)塑料封裝(環(huán)氧樹脂聚合物)

      雙列直插 DIP、單列直插 SIP、雙列表面安裝式封裝 SOP、四邊形扁平封裝 QFP 具有J型管腳的塑料電極芯片載體PLCC、小外形J引線塑料封裝 SOJ

      (2)陶瓷封裝

      具有氣密性好,高可靠性或者大功率

      A.耐熔陶瓷(三氧化二鋁和適當(dāng)玻璃漿料):針柵陣列 PGA、陶瓷扁平封裝 FPG

      B.薄層陶瓷:無(wú)引線陶瓷封裝 LCCC

      2..集成電路工藝

      (1)標(biāo)準(zhǔn)雙極性工藝

      (2)CMOS工藝

      (3)BiCMOS工藝

      3.去封裝

      1.陶瓷封裝

      一般用刀片劃開。

      2. 塑料封裝

      化學(xué)方法腐蝕,沸煮。

      (1)發(fā)煙硝酸 煮(小火) 20~30分鐘

      (2)濃硫酸 沸煮 30~50分鐘

      實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:

      四、實(shí)驗(yàn)步驟

      1.打開抽風(fēng)柜電源,打開抽風(fēng)柜。

      2.將要去封裝的芯片(去掉引腳)放入有柄石英燒杯中。

      3.帶上塑膠手套,在藥品臺(tái)上去濃硝酸。向石英燒杯中注入適量濃硝酸。(操作時(shí)一定注意安全)

      4.將石英燒杯放到電爐上加熱,記錄加熱時(shí)間。(注意:火不要太大)

      5.觀察燒杯中的變化,并做好記錄。

      6.取出去封裝的芯片并清洗芯片,在顯微鏡下觀察腐蝕效果。

      7.等完成腐蝕后,對(duì)廢液進(jìn)行處理。

      五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

      1:開始放入芯片,煮大約2分鐘,發(fā)煙硝酸即與塑膠封轉(zhuǎn)起反應(yīng),

      此時(shí)溶液顏色開始變黑。

      2:繼續(xù)煮芯片,發(fā)現(xiàn)塑膠封裝開始大量溶解,溶液顏色變渾濁。

      3:大約二十五分鐘,芯片塑膠部分已經(jīng)基本去除。

      4:取下燒杯,看到閃亮的芯片伴有反光,此時(shí)芯片塑膠已經(jīng)基本去除。

      六、結(jié)果及分析

      1:加熱芯片前要事先用鉗子把芯片的金屬引腳去除,因?yàn)榇藭r(shí)如果不去除,它會(huì)與酸反應(yīng),消耗酸液。

      2:在芯片去塑膠封裝的時(shí)候,加熱一定要小火加熱,因?yàn)榘l(fā)煙鹽酸是易揮發(fā)物質(zhì),如果采用大火加熱,其中的酸累物質(zhì)變會(huì)分解揮發(fā),引起容易濃度變低,進(jìn)而可能照成芯片去封裝不完全,或者去封裝速度較慢的情況。

      3:通過(guò)實(shí)驗(yàn),了解了去塑膠封裝的基本方法,和去封裝的一般步驟。

      實(shí)驗(yàn)二 金屬層芯片拍照

      實(shí)驗(yàn)時(shí)間: 同組人員:

      一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

      1.學(xué)習(xí)芯片拍照的方法。

      2.掌握拍照主要操作。

      3. 能夠正確使用顯微鏡和電動(dòng)平臺(tái)

      二、實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備

      1:去封裝后的芯片

      2:芯片圖像采集電子顯微鏡和電動(dòng)平臺(tái)

      3:實(shí)驗(yàn)用PC,和圖像采集軟件。

      三、實(shí)驗(yàn)原理和內(nèi)容

      1:實(shí)驗(yàn)原理

      根據(jù)芯片工藝尺寸,選擇適當(dāng)?shù)姆糯蟊稊?shù),用帶CCD攝像頭的顯微鏡對(duì)芯片進(jìn)行拍照。以行列式對(duì)芯片進(jìn)行圖像采集。注意調(diào)平芯片,注意拍照時(shí)的清晰度。2:實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

      采集去封裝后金屬層照片。

      四、實(shí)驗(yàn)步驟

      1.打開拍照電腦、顯微鏡、電動(dòng)平臺(tái)。

      2.將載物臺(tái)粗調(diào)焦旋鈕逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)到底(即載物臺(tái)最低),小心取下載物臺(tái)四英寸硅片平方在桌上,用塑料鑷子小心翼翼的將裸片放到硅片靠中心的位置上,將硅片放到載物臺(tái)。

      3.小心移動(dòng)硅片盡量將芯片平整。

      4.打開拍照軟件,建立新拍照任務(wù),選擇適當(dāng)倍數(shù),并調(diào)整到顯示圖像。(此處選擇20倍物鏡,即拍200倍照片)

      5.將顯微鏡物鏡旋轉(zhuǎn)到最低倍5X,慢慢載物臺(tái)粗調(diào)整旋鈕使載物臺(tái)慢慢上升,直到有模糊圖像,這時(shí)需要小心調(diào)整載物臺(tái)位置,直至看到圖像最清晰。

      6.觀察圖像,將芯片調(diào)平(方法認(rèn)真聽取指導(dǎo)老師講解)。

      10.觀測(cè)整體效果,觀察是否有嚴(yán)重錯(cuò)位現(xiàn)象。如果有嚴(yán)重錯(cuò)位,要進(jìn)行重拍。

      11.保存圖像,關(guān)閉拍照工程。

      12.將顯微鏡物鏡順時(shí)針跳到最低倍(即: 5X)。

      13.逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)粗調(diào)焦旋鈕,使載物臺(tái)下降到最低。

      14.用手柄調(diào)節(jié)載物臺(tái),到居中位置。

      15.關(guān)閉顯微鏡、電動(dòng)平臺(tái)和PC機(jī)。

      五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

      采集后的芯片金屬層圖片如下:

      六、結(jié)果及分析

      1:實(shí)驗(yàn)掌握了芯片金屬層拍照的方法,電動(dòng)平臺(tái)和電子顯微鏡的使用,熟悉了圖像采集軟件的`使用方法。

      2:在拍攝金屬層圖像時(shí),每拍完一行照片要進(jìn)行檢查,因?yàn)樾酒杏嗥毓夂途劢沟牟町悾赡軙?huì)使某些照片不清晰,對(duì)后面的金屬層拼接照成困難。所以拍完一行后要對(duì)其進(jìn)行檢查,對(duì)不符合標(biāo)準(zhǔn)的照片進(jìn)行重新拍照。

      3:拍照是要保證芯片全部在采集視野里,根據(jù)四點(diǎn)確定一個(gè)四邊形平面,要確定芯片的四個(gè)角在采集視野里,就可以保證整個(gè)芯片都在采集視野里。

      4:拍照時(shí)的倍數(shù)選擇要與工程分辨率保持一致,過(guò)大或過(guò)小會(huì)引起芯片在整個(gè)視野里的分辨率,不能達(dá)到合適的效果,所以采用相同的倍數(shù),保證芯片的在視野圖像大小合適。

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